Trang in
IRF6648TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
109 có sẵn
9,600 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
109 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$3.710 | US$3.71 |
| Tổng Giá | US$3.71 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.710 |
| 10+ | US$2.170 |
| 100+ | US$1.680 |
| 500+ | US$1.380 |
| 1000+ | US$1.230 |
| 5000+ | US$1.210 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF6648TRPBFSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất31 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2579986RL
Cắt Băng2579986
Phạm vi sản phẩmHEXFET
Được Biết Đến NhưSP001570312
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id86A
Drain Source On State Resistance7000µohm
Transistor Case StyleDirectFET MN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation89W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
HEXFET® power MOSFET silicon technology with the advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance.
- Application specific MOSFET
- Optimized for synchronous rectification for 5V to 12V outputs
- Low conduction losses
- Ideal for 24V input primary side forward converters
- Low profile (<lt/>0.7mm)
- Dual sided cooling compatible
- Compatible with existing surface mount techniques
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
86A
Transistor Case Style
DirectFET MN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho IRF6648TRPBF
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001