Trang in
IRF7103TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF7103TRPBF
Mã Đặt Hàng2467996
Được Biết Đến NhưSP001562004
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
180,545 có sẵn
Bạn cần thêm?
180545 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.635 |
| 50+ | US$0.461 |
| 250+ | US$0.357 |
| 1000+ | US$0.324 |
| 2000+ | US$0.293 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$3.18
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF7103TRPBF
Mã Đặt Hàng2467996
Được Biết Đến NhưSP001562004
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.11ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Sản phẩm thay thế cho IRF7103TRPBF
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.11ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00031