Trang in
IRF7103TRPBFXTMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF7103TRPBFXTMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất41 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4236355RL
Cắt Băng4236355
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP005876269
Mã sản phẩm của bạn
2,952 có sẵn
Bạn cần thêm?
2,952 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$1.130 | US$1.13 |
| Tổng Giá | US$1.13 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.130 |
| 10+ | US$0.517 |
| 100+ | US$0.457 |
| 500+ | US$0.353 |
| 1000+ | US$0.341 |
| 5000+ | US$0.272 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF7103TRPBFXTMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất41 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4236355RL
Cắt Băng4236355
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP005876269
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.13ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSO-8
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.13ohm
Transistor Case Style
SO-8
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00001