Trang in
IRF9389TRPBF
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF9389TRPBFSao chép
Mã Đặt Hàng2579952
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP001551666
Mã sản phẩm của bạn
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF9389TRPBFSao chép
Mã Đặt Hàng2579952
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP001551666
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6.8A
Continuous Drain Current Id P Channel6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.022ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Sản phẩm thay thế cho IRF9389TRPBF
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
HEXFET® power MOSFET suitable for use in high and low sides switches for inverter, high and low side switches for generic half bridge.
- High-side P-channel MOSFET
- Industry-standard pinout
- Compatible with existing surface mount technique
- Increased power density
- Easier drive circuitry
- Multi-vendor compatibility
- Easier manufacturing
- Environmentally friendlier
- Increased reliability
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.022ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.022ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001