Trang in
IRFB7546PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 75 A, 7300 µohm, TO-220AB, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRFB7546PBFSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng2406519
Được Biết Đến NhưSP001560262
Mã sản phẩm của bạn
604 có sẵn
1,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
604 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.490 |
| 10+ | US$0.701 |
| 100+ | US$0.625 |
| 500+ | US$0.489 |
| 1000+ | US$0.439 |
| 5000+ | US$0.423 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.49
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRFB7546PBFSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng2406519
Được Biết Đến NhưSP001560262
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance7300µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation99W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRFB7546PBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. The StrongIRFET™ HEXFET® power MOSFET is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, half-bridge and full-bridge topologies.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
99W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7300µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho IRFB7546PBF
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00195