Trang in
IRFR1205TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRFR1205TRPBFSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất45 tuần
Mã Đặt Hàng2097996
Được Biết Đến NhưSP001560566
Mã sản phẩm của bạn
2,957 có sẵn
2,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
2,957 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.770 |
| 10+ | US$0.832 |
| 100+ | US$0.740 |
| 500+ | US$0.580 |
| 1000+ | US$0.569 |
| 5000+ | US$0.557 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.77
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRFR1205TRPBFSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất45 tuần
Mã Đặt Hàng2097996
Được Biết Đến NhưSP001560566
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation107W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRFR1205TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Ứng Dụng
Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho IRFR1205TRPBF
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000491