IRFR120NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Surface Mount
12,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$1.410 | US$1.41 |
| Tổng Giá | US$1.41 | ||
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.410 |
| 10+ | US$0.652 |
| 100+ | US$0.578 |
| 500+ | US$0.448 |
| 1000+ | US$0.325 |
| 5000+ | US$0.319 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRFR120NTRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level of 1.5W is possible in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Ứng Dụng
Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
N Channel
9.4A
TO-252AA
10V
48W
175°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
100V
0.21ohm
Surface Mount
4V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho IRFR120NTRPBF
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm