Trang in
IRG4PC50FDPBF
IGBT, 70 A, 1.79 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRG4PC50FDPBF
Mã Đặt Hàng9105123
Phạm vi sản phẩmIRG4
Được Biết Đến NhưSP001545704
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current70A
Collector Emitter Saturation Voltage1.79V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIRG4
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRG4PC50FDPBF is an insulated gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode, optimized for medium operating frequencies. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
- ±20V Gate-emitter voltage
Ứng Dụng
Motor Drive & Control
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
70A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-247AC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
1.79V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 6 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00567