Trang in
IRGB8B60KPBF
IGBT, 28 A, 2.2 V, 167 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRGB8B60KPBFSao chép
Mã Đặt Hàng8650845
Mã sản phẩm của bạn
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRGB8B60KPBFSao chép
Mã Đặt Hàng8650845
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current28A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRGB8B60KPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and excellent current sharing in parallel operation.
- Square RBSOA
- Positive VCE (on) temperature coefficient
- Rugged transient performance
- Low EMI
- 10µs Short-circuit capability
Ứng Dụng
Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Power Management
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
28A
Power Dissipation
167W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002