Trang in
IRLB3813PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRLB3813PBFSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất47 tuần
Mã Đặt Hàng1740786
Được Biết Đến NhưSP001558110
Mã sản phẩm của bạn
2,327 có sẵn
2,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
2,327 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2.870 |
| 10+ | US$1.420 |
| 100+ | US$1.220 |
| 500+ | US$0.998 |
| 1000+ | US$0.903 |
| 5000+ | US$0.885 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$2.87
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRLB3813PBFSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất47 tuần
Mã Đặt Hàng1740786
Được Biết Đến NhưSP001558110
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id260A
Drain Source On State Resistance1950µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRLB3813PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is optimized for UPS/inverter applications. It is suitable for high frequency isolated DC-to-DC converters with synchronous rectification for telecom use.
- Ultra-low gate impedance
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
Ứng Dụng
Power Management, Communications & Networking, Industrial
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
260A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1950µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho IRLB3813PBF
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002