Trang in
S29GL01GS11DHIV13
Flash Memory, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtS29GL01GS11DHIV13Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất18 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4332199RL
Cắt Băng4332199
Phạm vi sản phẩm3V Parallel NOR Flash Memories
Mã sản phẩm của bạn
1,449 có sẵn
Bạn cần thêm?
1,449 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 5 | US$17.380 | US$86.90 |
| Tổng Giá | US$86.90 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$17.380 |
| 50+ | US$16.610 |
| 100+ | US$16.210 |
| 500+ | US$15.980 |
| 1000+ | US$15.130 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtS29GL01GS11DHIV13Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất18 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4332199RL
Cắt Băng4332199
Phạm vi sản phẩm3V Parallel NOR Flash Memories
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density1Gbit
Memory Configuration128M x 8bit
InterfacesParallel
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins64Pins
Clock Frequency Max-
Access Time110ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
S29GL01GS11DHIV13 is a MIRRORBIT™ Eclipse flash memory fabricated on 65-nm process technology. This device offers a fast page access time of as fast as 15ns with a corresponding random access time of as fast as 90ns. This feature is a write buffer that allows a maximum of 256 words/512bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications requiring higher density, better performance, and lower power consumption.
- 110ns random access time speed option, industrial temperature range from -40°C to +85°C
- Fortified ball-grid array (LAE064) 9 x 9mm package type
- VIO is 1.65V to VCC, VCC is 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- ×16 data bus, asynchronous 32byte page read
- Sector erase, uniform 128kbyte sectors
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Automatic error checking and correction internal hardware ECC with single bit error correction
- Separate 1024byte one time program (OTP) array with two lockable regions
- Volatile and non-volatile protection methods for each sector
- 100000 program / erase cycles, 20 years data retention
Thông số kỹ thuật
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
128M x 8bit
IC Case / Package
FBGA
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Memory Density
1Gbit
Interfaces
Parallel
No. of Pins
64Pins
Access Time
110ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001439