Trang in
SPD04N80C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSPD04N80C3ATMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu1664108RL
Cắt Băng1664108
Được Biết Đến NhưSPD04N80C3, SP001117768
Mã sản phẩm của bạn
4,141 có sẵn
Bạn cần thêm?
4,141 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 5 | US$1.160 | US$5.80 |
| Tổng Giá | US$5.80 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$1.160 |
| 50+ | US$1.030 |
| 100+ | US$0.898 |
| 500+ | US$0.774 |
| 1000+ | US$0.740 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSPD04N80C3ATMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu1664108RL
Cắt Băng1664108
Được Biết Đến NhưSPD04N80C3, SP001117768
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
SPD04N80C3ATMA1 is a CoolMOS™ power transistor. It is designed for industrial applications with high DC bulk voltage, and switching applications ( i.e. active clamp forward ). Potential applications are consumer, PC power, adapter, lighting, and solar.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dv/dt rated, high peak current capability
- Fully qualified according to JEDEC for industrial applications
- Ultra low gate charge, ultra low effective capacitances
- High efficiency and power density, outstanding cost/performance
- High reliability, ease-of-use
- Drain-source breakdown voltage is 800V at VGS=0V, I D=250µA
- Drain-source on-state resistance is 1.3ohm at VGS=10V, I D=2.5A, Tj=25°C
- Gate charge total is 23nC typ at VDD=640V, ID=4A, VGS=0 to 10V
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản phẩm thay thế cho SPD04N80C3ATMA1
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0003