Trang in
IS43TR16512BL-125KBL
DRAM, DDR3, 8 Gbit, 512M x 16bit, 800 MHz, BGA, 96 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIS43TR16512BL-125KBLSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất52 tuần
Mã Đặt Hàng4816442
Mã sản phẩm của bạn
76 có sẵn
Bạn cần thêm?
76 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$45.160 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$45.16
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIS43TR16512BL-125KBLSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất52 tuần
Mã Đặt Hàng4816442
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
DRAM TypeDDR3
Memory Density8Gbit
Memory Configuration512M x 16bit
Clock Frequency Max800MHz
IC Case / PackageBGA
No. of Pins96Pins
Supply Voltage Nom1.35V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
IS43TR16512BL-125KBL is a DDR3 SDRAM. The DRAM samples CK - CK# status with the rising edge of DQS - DQS# and provides feedback on the DQ bus asynchronously after tWLO timing. In this product, all data bits ("prime DQ bit(s)"), which are DQ0~DQ7 for x8, or DQ0~DQ15 for x16, provide the levelling feedback.
- Standard voltage is VDD and VDDQ=1.5V ±0.075V
- High-speed data transfer rates with system frequency up to 933MHz
- 8 internal banks for concurrent operation, 8n-Bit pre-fetch architecture
- Programmable CAS latency, programmable additive latency: 0, CL-1, CL-2
- Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
- BL switch on the fly, Auto Self Refresh(ASR), Self Refresh Temperature(SRT)
- OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment), Dynamic ODT (On-Die Termination)
- 512Mx16 configuration, 1600MT/s data rate
- 96-ball BGA package
- Commercial operating temperature range from 0°C to +95°C
Thông số kỹ thuật
DRAM Type
DDR3
Memory Configuration
512M x 16bit
IC Case / Package
BGA
Supply Voltage Nom
1.35V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
-
Memory Density
8Gbit
Clock Frequency Max
800MHz
No. of Pins
96Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001