Trang in
IXFH6N100F
RF FET Transistor, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtIXYS RF
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXFH6N100F
Mã Đặt Hàng1347754
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Drain Current Id6A
Power Dissipation180W
Operating Frequency Min-
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Sản phẩm thay thế cho IXFH6N100F
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Continuous Drain Current Id
6A
Operating Frequency Min
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Power Dissipation
180W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 5 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.006