Trang in
IXZ308N120
RF FET Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, SMD
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtIXYS RF
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXZ308N120
Mã Đặt Hàng1347739
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Drain Current Id8A
Power Dissipation880W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
The IXZ308N120 is a 1200V N-channel Enhancement Mode RF Power MOSFET with low RDS (on) ideal for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
- High isolation voltage
- Excellent thermal transfer
- Increased temperature and power cycling capability
- IXYS advanced low Qg process
- Low gate charge and capacitances offer easier to drive and faster switching
- Very low insertion inductance
- No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
- Easy to mount, no insulators needed
- High power density
Ứng Dụng
HVAC, Power Management, Industrial
Thông số kỹ thuật
Continuous Drain Current Id
8A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SMD
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation
880W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
6Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.007257