Trang in
IXFB44N100P
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXFB44N100P
Mã Đặt Hàng3438373
Phạm vi sản phẩmPolar HiPerFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
300 có sẵn
Bạn cần thêm?
300 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$31.190 |
| 5+ | US$29.770 |
| 10+ | US$28.340 |
| 50+ | US$26.910 |
| 100+ | US$25.480 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$31.19
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXFB44N100P
Mã Đặt Hàng3438373
Phạm vi sản phẩmPolar HiPerFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StylePLUS264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET Series
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
IXFB44N100P is a polar™ power MOSFET HiPerFET™. Typical applications are switched-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, laser drivers, AC and DC motor controls, robotics and servo controls.
- N-channel enhancement mode
- Avalanche rated
- Fast recovery intrinsic diode
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance, easy to drive and to protect
- Plus 264™ package for clip or spring mounting
- Space savings, high power density
- Voltage rating VDSS is 1000V at TJ = 25°C to 150°C
- Current rating ID25 is 44A at TC = 25°C
- Resistor RDS(on) is 220mohm at VGS=10V, ID=0.5 ID25, time trr is 300ns at F=22A, -di/dt=100A/μs
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
PLUS264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001361