Trang in
IXFH50N60P3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXFH50N60P3Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng2429710
Mã sản phẩm của bạn
227 có sẵn
Bạn cần thêm?
227 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$13.950 |
| 5+ | US$12.740 |
| 10+ | US$11.530 |
| 50+ | US$10.310 |
| 100+ | US$9.100 |
| 250+ | US$7.880 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$13.95
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXFH50N60P3Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng2429710
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.04W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
The IXFH50N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Avalanche rated
- Low inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space-savings
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.04W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho IXFH50N60P3
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.226796