Trang in
IXLF19N250A
IGBT, 32 A, 3.2 V, 250 W, 2.5 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXLF19N250A
Mã Đặt Hàng3438401
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXLF19N250A
Mã Đặt Hàng3438401
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current32A
Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
Power Dissipation250W
Collector Emitter Voltage Max2.5kV
Transistor Case StyleISOPLUS i4-PAC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
32A
Power Dissipation
250W
Transistor Case Style
ISOPLUS i4-PAC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
3.2V
Collector Emitter Voltage Max
2.5kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.004