Trang in
IXTK102N30P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 300 V, 102 A, 0.033 ohm, TO-264, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXTK102N30P
Mã Đặt Hàng1427357
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXTK102N30P
Mã Đặt Hàng1427357
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id102A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation700W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
102A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.01