Trang in
IXFH16N120P
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 16A, TO-247
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtLITTELFUSE
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXFH16N120P
Mã Đặt Hàng3953526
Phạm vi sản phẩmPolar HiPerFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
227 có sẵn
300 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
227 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Mĩ có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$20.870 |
| 5+ | US$17.350 |
| 10+ | US$13.830 |
| 50+ | US$13.510 |
| 100+ | US$13.190 |
| 250+ | US$12.870 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$20.87
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtLITTELFUSE
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXFH16N120P
Mã Đặt Hàng3953526
Phạm vi sản phẩmPolar HiPerFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source On State Resistance0.95ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation660W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET Series
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Operating Temperature Max
150°C
Drain Source On State Resistance
0.95ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
660W
Product Range
Polar HiPerFET Series
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000907