DN3535N8-G
Power MOSFET, N Channel, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Surface Mount
Bạn cần thêm?
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$0.990 | US$0.99 |
| Tổng Giá | US$0.99 | ||
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.990 |
| 25+ | US$0.836 |
| 100+ | US$0.759 |
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 2000+ | US$0.718 |
| 6000+ | US$0.704 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The DN3535N8-G is a N-channel depletion-mode vertical DMOS FET utilizes an advanced vertical DMOS structure and Supertex's well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistor and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS device. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The low threshold normally-on DMOS FET is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speed is desired.
- Low ON-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakages
Ứng Dụng
Power Management, Communications & Networking
Thông số kỹ thuật
N Channel
230mA
SOT-89
0V
1.6W
150°C
-
No SVHC (04-Feb-2026)
350V
10ohm
Surface Mount
-
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm