Trang in
LND150K1-G
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICROCHIP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtLND150K1-GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất6 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2450520RL
Cắt Băng2450520
Mã sản phẩm của bạn
914 có sẵn
Bạn cần thêm?
914 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$0.510 | US$0.51 |
| Tổng Giá | US$0.51 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.510 |
| 25+ | US$0.429 |
| 100+ | US$0.416 |
| 3000+ | US$0.402 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICROCHIP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtLND150K1-GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất6 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2450520RL
Cắt Băng2450520
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id13mA
Drain Source On State Resistance1000ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Tổng Quan Sản Phẩm
The LND150K1-G is a N-channel depletion-mode DMOS FET utilizing Supertex's lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. It is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
Ứng Dụng
Power Management, Industrial
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13mA
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1000ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000006