Trang in
TP2104N3-G
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICROCHIP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtTP2104N3-GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất6 tuần
Mã Đặt Hàng2775067
Mã sản phẩm của bạn
1,116 có sẵn
Bạn cần thêm?
1,116 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.796 |
| 25+ | US$0.781 |
| 100+ | US$0.765 |
| 1000+ | US$0.749 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$0.80
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICROCHIP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtTP2104N3-GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất6 tuần
Mã Đặt Hàng2775067
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id175mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation740mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Tổng Quan Sản Phẩm
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
- Suitable for logic level interfaces (ideal for TTL and CMOS), solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc..
- High input impedance and high gain
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- Free from secondary breakdown
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
175mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
740mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0002