Trang in
MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G
Flash Memory, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT29F2G08ABAGAWP-AAT:GSao chép
Mã Đặt Hàng3861374
Phạm vi sản phẩm3.3V Parallel NAND Flash Memories
Mã sản phẩm của bạn
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT29F2G08ABAGAWP-AAT:GSao chép
Mã Đặt Hàng3861374
Phạm vi sản phẩm3.3V Parallel NAND Flash Memories
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Flash Memory TypeSLC NAND
Memory Density2Gbit
Memory Configuration256M x 8bit
InterfacesParallel
IC Case / PackageTSOP-I
No. of Pins48Pins
Clock Frequency Max50MHz
Access Time-
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Supply Voltage Nom3.3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Thông số kỹ thuật
Flash Memory Type
SLC NAND
Memory Configuration
256M x 8bit
IC Case / Package
TSOP-I
Clock Frequency Max
50MHz
Supply Voltage Min
-
Supply Voltage Nom
3.3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
2Gbit
Interfaces
Parallel
No. of Pins
48Pins
Access Time
-
Supply Voltage Max
-
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Singapore
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Singapore
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.02268