Trang in
MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 96 Gbit, 1.5G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C
Mã Đặt Hàng4263241
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
50 có sẵn
Bạn cần thêm?
50 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$239.040 |
| 5+ | US$235.040 |
| 10+ | US$233.200 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$239.04
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C
Mã Đặt Hàng4263241
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density96Gbit
Memory Configuration1.5G x 64bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins556Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C is a mobile LPDDR4 SDRAM. The 12Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, AEC-Q100 automotive grade
- Programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK and DQS support
- Operating voltage is 1.10V VDD2/0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ, 468ps cycle time
- 12GB (96Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- Operating temperature range from -40°C to +105°C, 556-ball TFBGA package
Thông số kỹ thuật
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
1.5G x 64bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
96Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
556Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Singapore
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Singapore
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001