Trang in
HMT02N02S
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMULTICOMP PRO
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtHMT02N02S
Mã Đặt Hàng4295180
Phạm vi sản phẩmMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Mã sản phẩm của bạn
13,760 có sẵn
Bạn cần thêm?
13760 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.320 |
| 10+ | US$0.206 |
| 100+ | US$0.138 |
| 500+ | US$0.098 |
| 1000+ | US$0.082 |
| 5000+ | US$0.070 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$1.60
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMULTICOMP PRO
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtHMT02N02S
Mã Đặt Hàng4295180
Phạm vi sản phẩmMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The HMT02N02S is a high-efficiency N-channel MOSFET optimized for low-voltage, low-current applications. It features very low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for precision control tasks. This MOSFET is ideal for use in small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and various switching applications where compact size and high performance are essential.
- Trench Power LV MOSFET Technology
- High Power and Current Handing Capability
Ứng Dụng
Power Supplies, DC/DC Converters, Telecom
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản phẩm thay thế cho HMT02N02S
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000009