Trang in
HMV4P1P02S
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.1 A, 0.039 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMULTICOMP PRO
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtHMV4P1P02S
Mã Đặt Hàng4295182
Phạm vi sản phẩmMulticomp Pro P Channel MOSFETs
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
15,000 có sẵn
Bạn cần thêm?
15000 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.494 |
| 10+ | US$0.396 |
| 100+ | US$0.282 |
| 500+ | US$0.197 |
| 1000+ | US$0.141 |
| 5000+ | US$0.124 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$2.47
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMULTICOMP PRO
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtHMV4P1P02S
Mã Đặt Hàng4295182
Phạm vi sản phẩmMulticomp Pro P Channel MOSFETs
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.1A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro P Channel MOSFETs
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The HMV4P1P02S is a high-performance P-channel MOSFET designed for low-voltage, low-current applications. It features ultra-low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for efficient power management and precise control tasks. This MOSFET is well-suited for applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and various switching circuits where compact size and high reliability are essential.
- Advanced Trench Technology
- Lead Free Product is Acquired
- ESD Rating : HBM 2.0KV
- Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Ứng Dụng
Power Supplies, Motor Speed Controls, Portable Devices
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
Multicomp Pro P Channel MOSFETs
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản phẩm thay thế cho HMV4P1P02S
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000014