Trang in
BST82,215
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
142 có sẵn
Bạn cần thêm?
142 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.257 |
| 50+ | US$0.207 |
| 100+ | US$0.157 |
| 500+ | US$0.155 |
| 1500+ | US$0.151 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$1.29
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBST82,215
Mã Đặt Hàng1081313
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id190mA
Drain Source On State Resistance10ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
BST82,215 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, logic level translator.
- Very fast switching, logic level compatible
- Subminiature surface mount package
- Drain-source breakdown voltage is 130V typ at Tj=25°C, ID=10µA; VGS =0V
- Drain-source leakage current is 0.01µA typ at Tj=25°C, VDS=60V; VGS =0V
- Gate-source leakage current is 10nA typ at VGS=±20V; VDS =0V
- Forward transconductance is 350mS min at VDS=5V; ID=175mA
- Source-drain (diode forward) voltage is 1.5V typ at IS=300mA; VGS=0V
- Reverse recovery time is 30ns min at IS=300mA
- SOT23 package
- Operating junction temperature range from -65 to 150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho BST82,215
Tìm Thấy 5 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Hong Kong
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Hong Kong
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000061