Trang in
BUK9Y107-80EX
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBUK9Y107-80EXSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng2319903
Mã sản phẩm của bạn
249 có sẵn
Bạn cần thêm?
249 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.867 |
| 10+ | US$0.397 |
| 100+ | US$0.350 |
| 500+ | US$0.268 |
| 1000+ | US$0.227 |
| 5000+ | US$0.196 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$4.34
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBUK9Y107-80EXSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng2319903
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id11.8A
Drain Source On State Resistance0.0824ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation37W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
BUK9Y107-80EX is a logic-level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified for the AEC Q101 standard for use in high-performance automotive applications. Typical applications include 12V, 24V and 48V automotive systems, motors, lamps and solenoid control, transmission control, ultra high performance power switching.
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
- True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5V at 175°C
- Drain-source breakdown voltage is 80V min at ID = 250µA; VGS = 0V, Tj=25°C
- Drain leakage current is 0.1µA typ at VDS=80V; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 89.7mohm typ at VGS = 5V; ID = 5A; Tj = 25°C
- Gate-drain charge is 2.5nC typical
- Rise time is 7.5ns typ at VDS = 60V, RL = 10 ohm; VGS = 5V;RG(ext) = 5ohm; Tj = 25°C
- Fall time is 7.3ns typ at VDS = 60V, RL = 10 ohm; VGS = 5V;RG(ext) = 5ohm; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.84V typ at IS = 5A; VGS = 0V; Tj = 25°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.8A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
37W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0824ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.004749