Trang in
GAN7R0-150LBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGAN7R0-150LBEZ
Mã Đặt Hàng4198484
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
3 có sẵn
2,500 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
3 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2.940 |
| 10+ | US$2.540 |
| 100+ | US$2.090 |
| 500+ | US$1.860 |
| 1000+ | US$1.590 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$2.94
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGAN7R0-150LBEZ
Mã Đặt Hàng4198484
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance5600µohm
Typical Gate Charge7.6nC
Transistor Case StyleFCLGA
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
5600µohm
Transistor Case Style
FCLGA
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
28A
Typical Gate Charge
7.6nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000833