Trang in
GANC035-650VSHQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGANC035-650VSHQSao chép
Mã Đặt Hàng5033220
Mã sản phẩm của bạn
Có thể đặt mua
đăng kí quan tâm tại đây
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$9.150 |
| 5+ | US$7.850 |
| 10+ | US$6.550 |
| 50+ | US$6.050 |
| 100+ | US$5.540 |
| 250+ | US$5.440 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$9.15
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGANC035-650VSHQSao chép
Mã Đặt Hàng5033220
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Typical Gate Charge27nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins4Pins
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
4Pins
Qualification
AEC-Q101
Continuous Drain Current Id
44A
Typical Gate Charge
27nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001