Trang in
NGB15T65M3DFPJ
IGBT, 33 A, 1.53 V, 127 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNGB15T65M3DFPJSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất10 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4745451RL
Cắt Băng4745451
Mã sản phẩm của bạn
800 có sẵn
Bạn cần thêm?
800 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$2.660 | US$2.66 |
| Tổng Giá | US$2.66 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2.660 |
| 10+ | US$1.710 |
| 100+ | US$1.170 |
| 500+ | US$1.020 |
| 1000+ | US$0.928 |
| 5000+ | US$0.836 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNGB15T65M3DFPJSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất10 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4745451RL
Cắt Băng4745451
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current33A
Collector Emitter Saturation Voltage1.53V
Power Dissipation127W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-263AB (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
NGB15T65M3DFPJ is a 650V, 15A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin D2PAK package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. NGB15T65M3DFP is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short circuit withstand time of 5 μs. This hard-switching 650 V, 15 A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
33A
Power Dissipation
127W
Transistor Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.53V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001