Trang in
NX3008CBKS,115
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNX3008CBKS,115Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất54 tuần
Mã Đặt Hàng
Cuộn Đầy Đủ2439478
Cắt Băng2069539
Cắt Băng2069539RL
Mã sản phẩm của bạn
14,050 có sẵn
Bạn cần thêm?
14,050 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 100 | US$0.138 | US$13.80 |
| Tổng Giá | US$13.80 | ||
Cắt Băng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.138 |
| 500+ | US$0.104 |
| 1500+ | US$0.091 |
Cuộn Đầy Đủ
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 3000+ | US$0.077 |
| 9000+ | US$0.071 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNX3008CBKS,115Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất54 tuần
Mã Đặt Hàng
Cuộn Đầy Đủ2439478
Cắt Băng2069539
Cắt Băng2069539RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel350mA
Continuous Drain Current Id P Channel350mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel280mW
Power Dissipation P Channel280mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The NX3008CBKS is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for level shifter, power supply converter, load switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- Low threshold voltage
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
350mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
280mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
350mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000005