Trang in
NX3008CBKV,115
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNX3008CBKV,115Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất10 tuần
Mã Đặt Hàng2069540
Mã sản phẩm của bạn
1,380 có sẵn
Bạn cần thêm?
1,380 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.479 |
| 10+ | US$0.293 |
| 100+ | US$0.186 |
| 500+ | US$0.139 |
| 1000+ | US$0.123 |
| 5000+ | US$0.090 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$2.40
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNX3008CBKV,115Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất10 tuần
Mã Đặt Hàng2069540
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel400mA
Continuous Drain Current Id P Channel400mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel330mW
Power Dissipation P Channel330mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The NX3008CBKV is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for level shifter, power supply converter, load switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- Low threshold voltage
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
400mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
330mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
400mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation N Channel
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00002