Bạn cần thêm?
Số Lượng | Giá |
---|---|
10+ | US$6.850 |
25+ | US$6.490 |
50+ | US$6.240 |
100+ | US$5.990 |
250+ | US$5.690 |
500+ | US$5.480 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
MMZ09332BT1 is a 2--stage, high linearity InGaP HBT broadband amplifier designed for femtocell, picocell, smart grid, W--CDMA, TD--SCDMA and LTE wireless broadband applications. It provides exceptional linearity for LTE and W-CDMA air interfaces with an ACPR of -50 dBc at an output power of up to 23dBm covering frequencies from 130 to 1000MHz. It operates from a supply voltage of 3 to 5V. The amplifier requires minimal external matching and offers state of the art reliability, ruggedness, temperature stability and ESD performance.
- Frequency range from 130 to 1000MHz
- P1dB is 33dBm, 450 to 1000MHz and OIP3 is up to 48dBm at 900MHz
- Excellent linearity
- Active bias control (adjustable externally)
- Single 3 to 5V supply
- Single ended power detector
- 1200mA total supply current
- 29dBm RF input power
- 12 lead HVQFN package
- 175°C junction temperature
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
130MHz
30.5dB
HVQFN
3V
-
-
MSL 1 - Unlimited
1GHz
-
12Pins
5V
175°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm