Trang in
2N7000BU
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất2N7000BUSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất22 tuần
Mã Đặt Hàng2453761
Mã sản phẩm của bạn
4,893 có sẵn
Bạn cần thêm?
4,893 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.531 |
| 10+ | US$0.326 |
| 100+ | US$0.208 |
| 500+ | US$0.157 |
| 1000+ | US$0.154 |
| 5000+ | US$0.151 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$2.66
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất2N7000BUSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất22 tuần
Mã Đặt Hàng2453761
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The 2N7000BU is an advanced small-signal N-channel enhancement-mode MOSFET produced using high cell density DMOS technology. It minimizes ON-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. It is particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Fast switching times
- Improved inductive ruggedness
- Lower input capacitance
- Extended safe operating area
- Improved high-temperature reliability
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho 2N7000BU
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000454