Trang in
FDMS86255
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDMS86255
Mã Đặt Hàng2825179
Phạm vi sản phẩmPowerTrench
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
14,489 có sẵn
Bạn cần thêm?
14489 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$3.450 |
| 50+ | US$2.970 |
| 100+ | US$2.480 |
| 500+ | US$2.360 |
| 1500+ | US$2.320 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$17.25
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDMS86255
Mã Đặt Hàng2825179
Phạm vi sản phẩmPowerTrench
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.0124ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation113W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
FDMS86255 is a N-channel, shielded gate, POWERTRENCH MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using onsemi advanced POWERTRENCH process that incorporates shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. Typical applications are OringFET / load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low RDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source voltage is 150V at TA = 25°C
- Gate to source voltage is ±20V at TA = 25°C
- Drain current is 62A at continuous, TC = 25°C
- Single pulse avalanche energy is 541mJ at TA = 25°C
- Power dissipation is 113W at TC = 25°C
- PQFN8 package
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
113W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0124ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0004