Trang in
FQB27P06TM
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFQB27P06TM
Mã Đặt Hàng
Cuộn Đầy Đủ2438472
Loại cuộn theo nhu cầu1611477RL
Cắt Băng1611477
Mã sản phẩm của bạn
1,319 có sẵn
1,600 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
1293 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
26 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Mĩ có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$2.900 | US$2.90 |
| Tổng Giá | US$2.90 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2.900 |
| 10+ | US$1.880 |
| 50+ | US$1.590 |
| 100+ | US$1.290 |
| 250+ | US$1.270 |
Cuộn Đầy Đủ
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 800+ | US$0.982 |
| 2400+ | US$0.963 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFQB27P06TM
Mã Đặt Hàng
Cuộn Đầy Đủ2438472
Loại cuộn theo nhu cầu1611477RL
Cắt Băng1611477
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FQB27P06TM is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Low gate charge
- 100% avalanche tested
- 175°C rated junction temperature
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
27A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho FQB27P06TM
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002055