HGTG11N120CND
IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
900 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$7.050 |
| 10+ | US$5.170 |
| 100+ | US$3.710 |
| 500+ | US$3.290 |
| 1000+ | US$3.230 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The HGTG11N120CND is a 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This NPT series is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 340ns at TJ = 150°C Fall time
Thông số kỹ thuật
43A
298W
TO-247
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
2.4V
1.2kV
3Pins
Surface Mount
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm