Trang in
NTD2955T4G
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
7,188 có sẵn
2,500 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
414 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
6774 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$1.500 |
| 10+ | US$0.988 |
| 100+ | US$0.735 |
| 500+ | US$0.557 |
| 2500+ | US$0.544 |
| 7500+ | US$0.530 |
| 20000+ | US$0.517 |
| 37500+ | US$0.503 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$7.50
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTD2955T4G
Mã Đặt Hàng2317614
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.155ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation55W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The NTD2955T4G is a -60V P-channel Power MOSFET designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. It is designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls. This device is particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.
- Avalanche energy specified
- IDSS and VDS (on) specified at elevated temperature
- ±20V Gate to source voltage
- 2.73°C/W Thermal resistance, junction to case
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho NTD2955T4G
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Vietnam
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Vietnam
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00033