Trang in
NTHL060N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTHL060N090SC1
Mã Đặt Hàng3367856
Phạm vi sản phẩmEliteSiC Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
609 có sẵn
Bạn cần thêm?
609 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$10.360 |
| 5+ | US$9.820 |
| 10+ | US$9.280 |
| 50+ | US$8.730 |
| 100+ | US$8.190 |
| 250+ | US$7.660 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$10.36
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTHL060N090SC1
Mã Đặt Hàng3367856
Phạm vi sản phẩmEliteSiC Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation221W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
NTHL060N090SC1 is an EliteSiC silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are UPS, DC to DC converter, and boost inverter.
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 113pF)
- Typical RDS(on)= 60mohm at VGS = 15V
- Ultra low gate charge (typical QG(tot)= 87nC)
- Drain-to-source voltage is 900V at TJ = 25°C
- Gate-to-source voltage is +22/-8V at TJ = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO-247-3LD package
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
221W
Product Range
EliteSiC Series
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002