Trang in
NTJD4152PT1G
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTJD4152PT1GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất22 tuần
Mã Đặt Hàng
Cuộn Đầy Đủ2442224
Loại cuộn theo nhu cầu2533191RL
Cắt Băng2533191
Mã sản phẩm của bạn
16,777 có sẵn
36,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
16,777 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 5 | US$0.423 | US$2.11 |
| Tổng Giá | US$2.11 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.423 |
| 50+ | US$0.346 |
| 100+ | US$0.268 |
| 500+ | US$0.147 |
| 1500+ | US$0.145 |
Cuộn Đầy Đủ
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 3000+ | US$0.112 |
| 9000+ | US$0.110 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTJD4152PT1GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất22 tuần
Mã Đặt Hàng
Cuộn Đầy Đủ2442224
Loại cuộn theo nhu cầu2533191RL
Cắt Băng2533191
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel880mA
Continuous Drain Current Id P Channel880mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.215ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.215ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel272mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
880mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.215ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
272mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
880mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.215ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000046