Trang in
NTZD3152PT1G
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTZD3152PT1GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất54 tuần
Mã Đặt Hàng
Cuộn Đầy Đủ2442270
Loại cuộn theo nhu cầu2845410RL
Cắt Băng2845410
Mã sản phẩm của bạn
4,741 có sẵn
40,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
4,741 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 5 | US$0.244 | US$1.22 |
| Tổng Giá | US$1.22 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.244 |
| 50+ | US$0.186 |
| 250+ | US$0.127 |
| 1000+ | US$0.118 |
| 2000+ | US$0.111 |
Cuộn Đầy Đủ
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 4000+ | US$0.058 |
| 12000+ | US$0.057 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTZD3152PT1GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất54 tuần
Mã Đặt Hàng
Cuộn Đầy Đủ2442270
Loại cuộn theo nhu cầu2845410RL
Cắt Băng2845410
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel430mA
Continuous Drain Current Id P Channel430mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.9ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.9ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel280mW
Power Dissipation P Channel280mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
430mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.9ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
280mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
430mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.9ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00001