Trang in
NVMFS6H801NT1G
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNVMFS6H801NT1GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất22 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2895706RL
Cắt Băng2895706
Mã sản phẩm của bạn
490 có sẵn
Bạn cần thêm?
490 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$4.180 | US$4.18 |
| Tổng Giá | US$4.18 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.180 |
| 10+ | US$2.390 |
| 100+ | US$1.910 |
| 500+ | US$1.550 |
| 1000+ | US$1.390 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNVMFS6H801NT1GSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất22 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2895706RL
Cắt Băng2895706
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id157A
Drain Source On State Resistance2800µohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation166W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
- Single N-Channel Power MOSFET
- Small footprint for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low Qg and capacitance to minimize driver losses
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Enhanced optical inspection
- Applications are switching power supplies, power switches and 48V systems
- Motor control, DC/DC converter, load switch are end products
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
157A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
166W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho NVMFS6H801NT1G
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001