FDC6301N..
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 5 ohm
12,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 5 | US$0.315 | US$1.58 |
| Tổng Giá | US$1.58 | ||
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.315 |
| 50+ | US$0.297 |
| 100+ | US$0.278 |
| 500+ | US$0.209 |
| 1500+ | US$0.205 |
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 3000+ | US$0.144 |
| 9000+ | US$0.142 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDC6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. It is very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this N-channel FET's can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- -0.5 to 8V Gate to source voltage
- 0.22A Continuous drain/output current
- 0.5A Pulsed drain/output current
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
N Channel
-
-
-
6Pins
-
-
MSL 1 - Unlimited
25V
220mA
5ohm
SuperSOT
900mW
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm