Trang in
FDMS86202ET120
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 102 A, 7200 µohm, Power 56, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDMS86202ET120Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3368748RL
Cắt Băng3368748
Phạm vi sản phẩmPowerTrench
Mã sản phẩm của bạn
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 28 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$7.850 | US$7.85 |
| Tổng Giá | US$7.85 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$7.850 |
| 10+ | US$4.230 |
| 100+ | US$3.880 |
| 500+ | US$3.730 |
| 1000+ | US$3.520 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDMS86202ET120Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3368748RL
Cắt Băng3368748
Phạm vi sản phẩmPowerTrench
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id102A
Drain Source On State Resistance7200µohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation187W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
FDMS86202ET120 is a N-channel shielded gate PowerTrench® MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s Advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Application includes DC-DC conversion.
- Shielded gate MOSFET Technology
- Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- 100% UIL tested
- 120V drain to source voltage (TA = 25°C), 102A continuous drain current (TC = 25°C)
- 3.1V maximum gate source threshold voltage (VGS=VDS, ID=250μA), 187W power dissipation (TC=25°C)
- 3275pF typical input capacitance (VDS = 60V, VGS = 0V, f = 1MHz, TJ = 25°C)
- 460pF typical output capacitance (VDS = 60V, VGS = 0V, f = 1MHz, TJ = 25°C)
- 8.75ns typical rise time (VDD = 60V, ID = 13.5A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 14.3nC gate to source charge typical (ID = 13.5A, VDD = 60V, TJ = 25°C)
- 8 pin power 56 package, operating temperature range from -55 to +175°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
102A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
187W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
7200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0004