Trang in
FDS8928A..
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDS8928A..Sao chép
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu1467988RL
Cắt Băng1467988
Mã sản phẩm của bạn
Ngưng sản xuất
Tùy Chọn Đóng Gói
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDS8928A..Sao chép
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu1467988RL
Cắt Băng1467988
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.5A
Continuous Drain Current Id P Channel5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.03ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.055ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Sản phẩm thay thế cho FDS8928A..
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDS8928A is a dual N/P-channel enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. The device is particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where switching, low in-line power loss fast and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.055ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.03ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000224