Trang in
FFSPF1065A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, Single, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFFSPF1065ASao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng2895654
Mã sản phẩm của bạn
388 có sẵn
Bạn cần thêm?
388 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.580 |
| 10+ | US$2.670 |
| 100+ | US$2.460 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$3.58
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFFSPF1065ASao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng2895654
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge34nC
Diode Case StyleTO-220FP
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Sản phẩm thay thế cho FFSPF1065A
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Thông số kỹ thuật
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
34nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
TO-220FP
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001