Trang in
FQP19N20C
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFQP19N20CSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất41 tuần
Mã Đặt Hàng2453438
Phạm vi sản phẩmQFET Series
Mã sản phẩm của bạn
308 có sẵn
Bạn cần thêm?
308 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.760 |
| 10+ | US$1.400 |
| 100+ | US$1.140 |
| 500+ | US$0.958 |
| 1000+ | US$0.887 |
| 5000+ | US$0.839 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.76
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFQP19N20CSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất41 tuần
Mã Đặt Hàng2453438
Phạm vi sản phẩmQFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation139W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FQP19N20C is a 200V N-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (typical 40.5nC)
- Low Crss (typical 85pF)
- 100% avalanche tested
- ±30V gate to source voltage
- 62.5°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.9°C/W thermal resistance, junction to case
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
139W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (4)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002815