HGTG20N60A4
IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The HGTG20N60A4 is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS series is a member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 55ns at TJ = 125°C Fall time
Thông số kỹ thuật
70A
290W
TO-247
150°C
-
2.7V
600V
3Pins
Through Hole
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm